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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Extended RF Band (see Table 1) . V CC = 5.0V, f RF = 1700MHz to 2000MHz, LO is
low-side injected for a 350MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
2RF - 2LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
2RF - 2LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
2RF - 2LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
80
P RF = -5dBm
80
P RF = -5dBm
80
P RF = -5dBm
70
T C = +85°C
70
P LO = +3dBm
P LO = 0dBm
70
60
60
60
50
T C = +25°C
T C = -40°C
50
P LO = -3dBm
50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
RF FREQUENCY (MHz)
3RF - 3LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
3RF - 3LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
RF FREQUENCY (MHz)
3RF - 3LO RESPONSE vs. RF FREQUENCY
95
T C = +85°C
P RF = -5dBm
95
P RF = -5dBm
95
P RF = -5dBm
85
85
85
75
T C = -40°C
75
75
V CC = 5.25V
V CC = 5.0V
65
55
T C = +25°C
65
55
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
65
55
V CC = 4.75V
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
16
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
16
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
16
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT P 1dB vs. RF FREQUENCY
15
T C = +85°C
15
15
V CC = 5.25V
V CC = 5.0V
14
14
14
13
T C = +25°C
13
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
13
V CC = 4.75V
T C = -40°C
12
11
12
11
12
11
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
1700
1800
1900
2000
18
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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